Coby Hanoch, CEO of Weebit Nano, said: “After achieving strong...

Coby  Hanoch,  CEO of  Weebit  Nano,  said:  “After  achieving  strong  performance  and  yield  results on  the  300nm  4Kb array  memory  cell,  we  are  very  pleased  to say  that we  have  now  oCoby  Hanoch,  CEO of  Weebit  Nano,  said:  “After  achieving  strong  performance  and  yield  results on  the  300nm  4Kb array  memory  cell,  we  are  very  pleased  to say  that we  have  now  overcome  the  significant  hurdles of  endurance  and data  retention,  which is  a  positive  indicator  for  success  in smaller  geometries  and  larger  array capacities.  We  are  very satisfied  with  our  demonstrated  data  retention  results  achieved on  our  first  CMOS integrated  wafer  batch  and  we believe  we will  be  able  to  demonstrate  10  years’  retention  and above  at  more  elevated  temperatures  required  for additional market  segments  such  as  industrial  and  automotive grade.” The  4Kb  array  reliability  results were  achieved  in  Leti’s  pre-industrialisation  facilities  in  Grenoble,  France,  and  were conducted  in  parallel  to  the  40nm  SiOx  ReRAM  cell development.  The  300nm  4Kb  results  further  increase  the Company’s  confidence  in  being  able  to  achieve  positive  results  on  40nm  wafers. Weebit  Nano  remains  on  track  to achieve  its  40nm  working cell  target  by the  end of  2017.   Weebit  Nano  remains  on  track  to achieve  its  40nm  working cell  target  by the  end of  2017.